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ATP108
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 40V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--40
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= --35 A
--1.5
65
--2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 35A, VGS= -- 10V
ID= -- 18A, VGS= -- 4.5V
VDS=--20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--20V, VGS=--10V, ID=--70A
IS=--70A, VGS=0V
8
11.5
3850
560
390
19
340
340
290
79.5
20
15
--1.05
10.4
16.5
--1.5
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --20V
ID= --35A
RL=0.57 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
ATP108
Ordering Information
Device
ATP108-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1604-2/7
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